BYM36A-TAP

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功能描述
整流器 200 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

BYM36A-TAP 技术参数

BYM359X-1500,127 功能描述:RF Diode Standard - 1 Pair Series Connection 1500V 10A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:1500V 电流 - 最大值:10A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM358X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81 BYQ28EB-200HE3/45 BYQ28EB-200HE3/81 BYQ28ED-200,118