BYT51D

配单专家企业名单

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说明
操作

BYT51D-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
SOD-57
12+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

BYT51D
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12000
VISHAY
SOD-57
13+
-
全新原装，现货，价优！

BYT51D
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
Taychipst
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

BYT51D-TR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
Silicon Mesa Rectifiers

BYT51D 技术参数

BYT51B-TR 功能描述:Diode Avalanche 100V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT51B-TAP 功能描述:Diode Avalanche 100V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT51A-TR 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT51A-TAP 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYT30PI-400RG 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 30A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:35μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DOP3I-2 绝缘（直引线）供应商器件封装:DOP3I 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:30 BYT51M-TR BYT52A-TAP BYT52A-TR BYT52B-TAP BYT52B-TR BYT52D-TAP BYT52D-TR BYT52G-TAP BYT52G-TR BYT52J-TAP BYT52J-TR BYT52K-TAP BYT52K-TR BYT52M-TAP BYT52M-TR BYT53A-TAP BYT53A-TR BYT53B-TAP