BYV29G-600127

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BYV29G-600127 技术参数

BYV29G-600,127 功能描述:Diode Standard 600V 9A Through Hole I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 BYV29FX-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.9V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FP 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYV29-600 标准包装:1,000 BYV29FD-600,118 功能描述:Diode Standard 600V 9A Surface Mount D-Pak 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.9V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:2,500 BYV29FB-600,118 功能描述:Diode Standard 600V 9A Surface Mount D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.9V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:800 BYV29F-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.9V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BYV29-600 标准包装:1,000 BYV30X-600PQ BYV32-100-E3/45 BYV32-100HE3/45 BYV32-150801HE3/45 BYV32-150-E3/45 BYV32-150HE3/45 BYV32-200 BYV32-200-E3/45 BYV32-200G BYV32-200HE3/45 BYV32-50-E3/45 BYV32-50HE3/45 BYV32E-100,127 BYV32E-150,127 BYV32E-200,127 BYV32E-200PQ BYV32EB-200,118 BYV32EB-200PQ