BYW51600

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BYW51600 技术参数

BYW51-200G 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-3 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BYW51-200 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BYW4200B-TR 功能描述:Diode Standard 200V 4A Surface Mount D-Pak 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:2,500 BYW36-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 BYW36-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYW55-TAP BYW55-TR BYW56-TAP BYW56-TR BYW72-TAP BYW72-TR BYW73-TAP BYW73-TR BYW74TAP BYW74TR BYW75TAP BYW75TR BYW76RAS15-10-PH BYW76TAP BYW76TR BYW77G-200-TR BYW77P-200 BYW77PI-200RG