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BYW74-TAP

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BYW74-TAP 技术参数
  • BYW74TAP 功能描述:Diode Avalanche 400V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYW73-TR 功能描述:Diode Avalanche 300V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 300V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYW73-TAP 功能描述:Diode Avalanche 300V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 300V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYW72-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYW72-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYW80-200 BYW80-200G BYW80FP-200 BYW81P-200 BYW82-TAP BYW82-TR BYW83TAP BYW83-TR BYW84-TAP BYW84-TR BYW85-TAP BYW85TR BYW86TAP BYW86-TR BYW98-200 BYW98-200RL BYW99P-200 BYW99PI-200RG
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