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BZB784-C13115

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BZB784-C13115 技术参数

BZB784-C13,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 13V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C12,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 12V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C11,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 11V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C10,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 10V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB100A,115 功能描述:TVS DIODE 100VWM SC76 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:齐纳双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:100V 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:75W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 基本零件编号:BZB100A 标准包装:1 BZB784-C5V1,115 BZB784-C5V6,115 BZB784-C6V2,115 BZB784-C6V8,115 BZB784-C7V5,115 BZB784-C8V2,115 BZB784-C9V1,115 BZB84-B10,215 BZB84-B11,215 BZB84-B12,215 BZB84-B13,215 BZB84-B15,215 BZB84-B16,215 BZB84-B18,215 BZB84-B20,215 BZB84-B22,215 BZB84-B24,215 BZB84-B27,215