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BZB784C5V6,115

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BZB784C5V6,115 技术参数
  • BZB784-C5V1,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 标准包装:1 BZB784-C4V7,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 4.7V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C4V3,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 4.3V 350mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C3V9,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.9V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB784-C3V6,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.6V 180mW ±5% SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:180mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZB84-B13,215 BZB84-B15,215 BZB84-B16,215 BZB84-B18,215 BZB84-B20,215 BZB84-B22,215 BZB84-B24,215 BZB84-B27,215 BZB84-B2V4,215 BZB84-B2V7,215 BZB84-B30,215 BZB84-B33,215 BZB84-B36,215 BZB84-B39,215 BZB84-B3V0,215 BZB84-B3V3,215 BZB84-B3V6,215 BZB84-B3V9,215
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