BZB84-B6V8215

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BZB84-B6V8215 技术参数

BZB84-B6V8,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.8V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B6V2,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.2V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B68,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 68V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 47.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B62,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 62V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B5V6,215 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 BZB84-C16,215 BZB84-C18,215 BZB84-C20,215 BZB84-C22,215 BZB84-C24,215 BZB84-C27,215 BZB84-C2V4,215 BZB84-C2V7,215 BZB84-C30,215 BZB84-C33,215 BZB84-C36,215 BZB84-C39,215 BZB84-C3V0,215 BZB84-C3V3,215 BZB84-C3V6,215 BZB84-C3V9,215 BZB84-C43,215 BZB84-C47,215