BZD17C33P-GS18

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BZD17C33P-GS18
深圳市华芯盛世科技有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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BZD17C33P-GS18 技术参数

BZD17C33P-E3-18 功能描述:Zener Diode 33V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD17C33P-E3-08 功能描述:Zener Diode 33V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD17C33P RVG 功能描述:DIODE ZENER 33V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6.06% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:3,000 BZD17C33P RUG 功能描述:DIODE ZENER 33V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6.06% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD17C33P RTG 功能描述:DIODE ZENER 33V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6.06% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD17C36P RUG BZD17C36P RVG BZD17C36P-E3-08 BZD17C36P-E3-18 BZD17C39P M2G BZD17C39P MHG BZD17C39P MQG BZD17C39P MTG BZD17C39P R3G BZD17C39P RFG BZD17C39P RHG BZD17C39P RQG BZD17C39P RTG BZD17C39P RUG BZD17C39P RVG BZD17C39P-E3-08 BZD17C39P-E3-18 BZD17C3V6P-E3-08