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BZD1OC11

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BZD1OC11 技术参数

BZD17C9V1P-E3-18 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD17C9V1P-E3-08 功能描述:Zener Diode 9.1V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD17C91P-E3-18 功能描述:Zener Diode 91V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 68V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD17C91P-E3-08 功能描述:Zener Diode 91V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 68V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD17C8V2P-E3-18 功能描述:Zener Diode 8.2V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27B10P-HE3-18 BZD27B10P-M3-08 BZD27B10P-M3-18 BZD27B110P-E3-08 BZD27B110P-E3-18 BZD27B110P-HE3-08 BZD27B110P-HE3-18 BZD27B110P-M3-08 BZD27B110P-M3-18 BZD27B11P-E3-08 BZD27B11P-E3-18 BZD27B11P-HE3-08 BZD27B11P-HE3-18 BZD27B11P-M3-08 BZD27B11P-M3-18 BZD27B120P-E3-08 BZD27B120P-E3-18 BZD27B120P-HE3-08