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BZD27C8V2P T/R

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BZD27C8V2P T/R 技术参数
  • BZD27C8V2P RVG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1 BZD27C8V2P RUG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD27C8V2P RTG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD27C8V2P RQG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C8V2P RHG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±6.09% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C8V2PHRFG BZD27C8V2PHRHG BZD27C8V2PHRQG BZD27C8V2PHRTG BZD27C8V2PHRUG BZD27C8V2PHRVG BZD27C8V2P-M-08 BZD27C8V2P-M-18 BZD27C8V2P-M3-08 BZD27C8V2P-M3-18 BZD27C91P M2G BZD27C91P MHG BZD27C91P MQG BZD27C91P MTG BZD27C91P R3G BZD27C91P RFG BZD27C91P RHG BZD27C91P RQG
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