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BZS55B9V1 RXG

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功能描述
稳压二极管 Zener 500mW 2% 9v1
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZS55B9V1 RXG 技术参数

BZS55B8V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B7V5 RXG 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B6V8 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B6V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B5V6 RXG 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55C24 RXG BZS55C27 RXG BZS55C2V4 RXG BZS55C2V7 RXG BZS55C30 RXG BZS55C33 RXG BZS55C36 RXG BZS55C3V0 RXG BZS55C3V3 RXG BZS55C3V6 RXG BZS55C3V9 RXG BZS55C4V3 RXG BZS55C4V7 RXG BZS55C5V1 RXG BZS55C5V6 RXG BZS55C6V2 RXG BZS55C6V8 RXG BZS55C7V5 RXG