BZT03C8.2

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BZT03C8.2 技术参数

BZT03C7V5-TR 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM 11.3VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6.2V 电压 - 击穿（最小值）:7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:26.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03C7V5-TAP 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM 11.3VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6.2V 电压 - 击穿（最小值）:7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:26.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03C75-TR 功能描述:TVS DIODE 62VWM 103.5VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:62V 电压 - 击穿（最小值）:70V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03C75-TAP 功能描述:TVS DIODE 62VWM 103.5VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:62V 电压 - 击穿（最小值）:70V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03C6V8-TR 功能描述:TVS DIODE 5.6VWM 10.2VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5.6V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:31A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 标准包装:5,000 BZT03D100-TR BZT03D10-TAP BZT03D10-TR BZT03D110-TAP BZT03D11-TAP BZT03D11-TR BZT03D120-TAP BZT03D120-TR BZT03D12-TAP BZT03D12-TR BZT03D130-TAP BZT03D13-TAP BZT03D13-TR BZT03D150-TAP BZT03D150-TR BZT03D15-TAP BZT03D15-TR BZT03D160-TAP