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BZT52-B4V7ST1G

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
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BZT52-B4V7ST1G 技术参数
  • BZT52B4V7S RRG 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.7μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZT52B4V7-HE3-18 功能描述:Zener Diode 4.7V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52B4V7-HE3-08 功能描述:Zener Diode 4.7V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52B4V7-G3-18 功能描述:Zener Diode 4.7V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52B4V7-G3-08 功能描述:Zener Diode 4.7V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52B51-TP BZT52B56 RHG BZT52B56-E3-08 BZT52B56-E3-18 BZT52B56-G3-08 BZT52B56-G3-18 BZT52B56-HE3-08 BZT52B56-HE3-18 BZT52B56S RRG BZT52B56-TP BZT52B5V1 RHG BZT52B5V1-E3-08 BZT52B5V1-E3-18 BZT52B5V1-G RHG BZT52B5V1-G3-08 BZT52B5V1-G3-18 BZT52B5V1-HE3-08 BZT52B5V1-HE3-18
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