BZT52B18T1G

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BZT52B18T1G 稳压(齐纳)二极管
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BZT52B18T1G 技术参数

BZT52B18S RRG 功能描述:DIODE ZENER 18V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:45nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZT52B18-HE3-18 功能描述:Zener Diode 18V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52B18-HE3-08 功能描述:Zener Diode 18V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52B18-G3-18 功能描述:Zener Diode 18V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52B18-G3-08 功能描述:Zener Diode 18V 410mW ±2% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52B20S RRG BZT52B20-TP BZT52B22 RHG BZT52B22-E3-08 BZT52B22-E3-18 BZT52B22-G RHG BZT52B22-G3-08 BZT52B22-G3-18 BZT52B22-HE3-08 BZT52B22-HE3-18 BZT52B22S RRG BZT52B22-TP BZT52B24 RHG BZT52B24-E3-08 BZT52B24-E3-18 BZT52B24-G RHG BZT52B24-G3-08 BZT52B24-G3-18