BZT52C2V7S7

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BZT52C2V7S7
深圳市海天鸿电子科技有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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BZT52C2V7S7 技术参数

BZT52C2V7S RRG 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:18μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZT52C2V7LP-7 功能描述:Zener Diode 2.7V 250mW ±7% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±7% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6）标准包装:1 BZT52C2V7K RKG 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 1V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZT52-C2V7J 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 350MW SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±7.4% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:83 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C2V7-HE3-18 功能描述:Zener Diode 2.7V 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:410mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:10,000 BZT52C30-7 BZT52C30-7-F BZT52C30-E3-08 BZT52C30-E3-18 BZT52C30-G RHG BZT52C30-G3-08 BZT52C30-G3-18 BZT52C30-HE3-08 BZT52C30-HE3-18 BZT52-C30J BZT52C30K RKG BZT52C30S RRG BZT52C30S-7 BZT52C30S-7-F BZT52C30S-TP BZT52C30-TP BZT52C30T-TP BZT52-C30X