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BZT52H-B3V6115

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BZT52H-B3V6115 技术参数
  • BZT52H-B3V6,115 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:1 BZT52H-B3V3,115 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:1 BZT52H-B3V0,115 功能描述:DIODE ZENER 3V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:1 BZT52H-B39,115 功能描述:Zener Diode 39V 375mW ±2% Surface Mount SOD-123F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±2% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:3,000 BZT52H-B36,115 功能描述:Zener Diode 36V 375mW ±2% Surface Mount SOD-123F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:3,000 BZT52H-B62,115 BZT52H-B68,115 BZT52H-B6V2,115 BZT52H-B6V8,115 BZT52H-B75,115 BZT52H-B7V5,115 BZT52H-B8V2,115 BZT52H-B9V1,115 BZT52H-C10,115 BZT52HC10WF-7 BZT52H-C11,115 BZT52HC11WF-7 BZT52H-C12,115 BZT52HC12WF-7 BZT52H-C13,115 BZT52HC13WF-7 BZT52H-C15,115 BZT52HC15WF-7
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