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BZT52H-C4V7115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 0.375W 4.7V SOD123F

BZT52H-C4V7115 技术参数

BZT52H-C4V7,115 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 基本零件编号:BZT52H-C4V7 标准包装:1 BZT52HC4V3WF-7 功能描述:Zener Diode 4.3V 375mW ±6.98% Surface Mount SOD-123F 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±6.98% 功率 - 最大值:375mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:1 BZT52H-C4V3,115 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 基本零件编号:BZT52H-C4V3 标准包装:1 BZT52HC47WF-7 功能描述:Zener Diode 47V 375mW ±6.38% Surface Mount SOD-123F 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:375mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 32.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:3,000 BZT52H-C47,115 功能描述:DIODE ZENER 47V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 32.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 基本零件编号:BZT52H-C47 标准包装:1 BZT52H-C6V2,115 BZT52HC6V2WF-7 BZT52H-C6V8,115 BZT52HC6V8WF-7 BZT52H-C75,115 BZT52H-C7V5,115 BZT52HC7V5WF-7 BZT52H-C8V2,115 BZT52HC8V2WF-7 BZT52H-C9V1,115 BZT52HC9V1WF-7 BZT55A10-GS08 BZT55A10-GS18 BZT55A11-GS08 BZT55A11-GS18 BZT55A12-GS08 BZT55A12-GS18 BZT55A13-GS08