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BZV55-B10(10V)

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BZV55-B10(10V) 技术参数

BZV55B10 L1G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55B10 L0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV49-C9V1,115 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C9V1 标准包装:1 BZV49-C8V2,115 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C8V2 标准包装:1 BZV49-C7V5,115 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BZV49-C7V5 标准包装:1 BZV55B13 L0G BZV55B13 L1G BZV55-B13,115 BZV55B15 L0G BZV55B15 L1G BZV55-B15,115 BZV55B16 L0G BZV55B16 L1G BZV55-B16,115 BZV55B18 L0G BZV55B18 L1G BZV55-B18,115 BZV55B20 L0G BZV55B20 L1G BZV55-B20,115 BZV55-B20,135 BZV55B22 L0G BZV55B22 L1G