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BZV55-C56.115

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BZV55-C56.115 技术参数

BZV55-C56,115 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 39.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:1 BZV55C56 L1G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 42V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C56 L0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 42V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C56 功能描述:Zener Diode 56V ±7% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±7% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 39.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 BZV55-C51,135 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:10,000 BZV55-C5V6,115 BZV55-C5V6,135 BZV55C5V6-TP BZV55C62 BZV55C62 L0G BZV55C62 L1G BZV55-C62,115 BZV55-C62,135 BZV55C68 BZV55C68 L0G BZV55C68 L1G BZV55-C68,115 BZV55-C68,135 BZV55C6V2 BZV55C6V2 L0G BZV55C6V2 L1G BZV55-C6V2,115 BZV55-C6V2,135