BZV55-C62135

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BZV55-C62135 技术参数

BZV55-C62,135 功能描述:Zener Diode 62V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:10,000 BZV55-C62,115 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:215 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:1 BZV55C62 L1G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 47V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C62 L0G 功能描述:DIODE ZENER 62V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 47V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C62 功能描述:Zener Diode 62V ±6% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±6% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 43.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 BZV55-C6V2,135 BZV55C6V2-TP BZV55C6V8 BZV55C6V8 L0G BZV55C6V8 L1G BZV55-C6V8,115 BZV55-C6V8,135 BZV55C6V8-TP BZV55C75 BZV55C75 L0G BZV55C75 L1G BZV55-C75,115 BZV55-C75,135 BZV55C7V5 BZV55C7V5 L0G BZV55C7V5 L1G BZV55-C7V5,115 BZV55-C7V5,135