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BZV85C12V(BZX85C12V)

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BZV85C12V(BZX85C12V) 技术参数
  • BZV85-C12,133 功能描述:DIODE ZENER 12V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 50mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZV85-C12,113 功能描述:DIODE ZENER 12V 1.3W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:BZV85C12 标准包装:1 BZV85-C11,133 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL 标准包装:5,000 BZV85-C11,113 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL 标准包装:5,000 BZV85-C10,133 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZV85-C20,133 BZV85-C22,113 BZV85-C22,133 BZV85-C24,113 BZV85-C24,133 BZV85-C27,113 BZV85-C27,133 BZV85-C30,113 BZV85-C30,133 BZV85-C33,113 BZV85-C33,133 BZV85-C36,113 BZV85-C36,133 BZV85-C39,113 BZV85-C39,133 BZV85-C3V6,113 BZV85-C3V6,133 BZV85-C3V9,113
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