BZW50-200

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BZW50-200 技术参数

BZW50-180RL 功能描述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:180V 电压 - 击穿（最小值）:200V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:410V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:146A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-180B 功能描述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:180V 电压 - 击穿（最小值）:200V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:410V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:146A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:750pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-180 功能描述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:180V 电压 - 击穿（最小值）:200V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:410V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:146A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-18 功能描述:TVS DIODE 18VWM 41.5VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1446A（1.446kA）（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:11500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:100 BZW50-15RL 功能描述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:35V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1714A（1.714kA）（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:13500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-39 BZW50-39B BZW50-39BRL BZW50-47B BZW50-56 BZW50-56B BZW50-68 BZW50-68B BZW50-68RL BZW50-82 BZW50-82B BZW50-82RL BZX100A,115 BZX284-B10,115 BZX284-B11,115 BZX284-B12,115 BZX284-B13,115 BZX284-B15,115