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BZW50150RL

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BZW50150RL 技术参数
  • BZW50-150B 功能描述:TVS DIODE 150VWM 343VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:150V 电压 - 击穿（最小值）:166V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:343V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:175A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:850pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-150 功能描述:TVS DIODE 150VWM 343VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:150V 电压 - 击穿（最小值）:166V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:343V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:175A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1700pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-15 功能描述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:35V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1714A（1.714kA）（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:13500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-12B 功能描述:TVS DIODE 12VWM 28VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:28V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2143A（2.143kA）（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:9250pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-120B 功能描述:TVS DIODE 120VWM 274VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:274V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:219A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:950pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-27 BZW50-27B BZW50-27RL BZW50-33 BZW50-33B BZW50-33BRL BZW50-33RL BZW50-39 BZW50-39B BZW50-39BRL BZW50-47B BZW50-56 BZW50-56B BZW50-68 BZW50-68B BZW50-68RL BZW50-82 BZW50-82B
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