BZW70-10/PH

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BZW70-10/PH 技术参数

BZW50-82RL 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:82V 电压 - 击穿（最小值）:91V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:317A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:2600pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-82B 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:82V 电压 - 击穿（最小值）:91V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:317A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1300pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-82 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:带盒（TB）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:82V 电压 - 击穿（最小值）:91V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:317A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:2600pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:100 BZW50-68RL 功能描述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:68V 电压 - 击穿（最小值）:75.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:157V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:382A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:3000pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-68B 功能描述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50，TRANSIL? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:68V 电压 - 击穿（最小值）:75.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:157V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:382A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1500pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZX284-B22,115 BZX284-B24,115 BZX284-B27,115 BZX284-B2V4,115 BZX284-B2V7,115 BZX284-B30,115 BZX284-B33,115 BZX284-B36,115 BZX284-B39,115 BZX284-B3V0,115 BZX284-B3V3,115 BZX284-B3V6,115 BZX284-B3V9,115 BZX284-B43,115 BZX284-B47,115 BZX284-B4V3,115 BZX284-B4V7,115 BZX284-B51,115