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BZX14

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BZX14 技术参数
  • BZX100A,115 功能描述:DIODE ZENER 100V 310MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:310mW 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 基本零件编号:BZX100A 标准包装:1 BZW50-82RL 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50,TRANSIL? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):82V 电压 - 击穿(最小值):91V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):317A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:2600pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-82B 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50,TRANSIL? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):82V 电压 - 击穿(最小值):91V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):317A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1300pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZW50-82 功能描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50,TRANSIL? 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):82V 电压 - 击穿(最小值):91V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:189V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):317A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:2600pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:100 BZW50-68RL 功能描述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6 制造商:stmicroelectronics 系列:BZW50,TRANSIL? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):68V 电压 - 击穿(最小值):75.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:157V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):382A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:3000pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:1 BZX284-B24,115 BZX284-B27,115 BZX284-B2V4,115 BZX284-B2V7,115 BZX284-B30,115 BZX284-B33,115 BZX284-B36,115 BZX284-B39,115 BZX284-B3V0,115 BZX284-B3V3,115 BZX284-B3V6,115 BZX284-B3V9,115 BZX284-B43,115 BZX284-B47,115 BZX284-B4V3,115 BZX284-B4V7,115 BZX284-B51,115 BZX284-B56,115
配单专家

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