BZX3.9R

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BZX3.9R 技术参数

BZX284-C9V1,115 功能描述:Zener Diode 9.1V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:3,000 BZX284-C8V2,115 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:1 BZX284-C7V5,115 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:1 BZX284-C75,115 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:3,000 BZX284-C6V8,135 功能描述:Zener Diode 6.8V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:11,000 BZX384B11-E3-18 BZX384B11-G3-08 BZX384B11-G3-18 BZX384B11-HE3-08 BZX384B11-HE3-18 BZX384-B12,115 BZX384B12-E3-08 BZX384B12-E3-18 BZX384B12-G3-08 BZX384B12-G3-18 BZX384B12-HE3-08 BZX384B12-HE3-18 BZX384-B13,115 BZX384B13-E3-08 BZX384B13-E3-18 BZX384B13-G3-08 BZX384B13-G3-18 BZX384B13-HE3-08