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BZX55-C11

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BZX55-C11
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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制造商
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述
DIODE ZENER 500MW 11V

BZX55-C11 技术参数

BZX55C11 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55C10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX55C10-TAP 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C10_T50R 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C10_T50A 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C12_T50R BZX55C12-TAP BZX55C12-TR BZX55C13 BZX55C13 A0G BZX55C13_T50A BZX55C13_T50R BZX55C13-TAP BZX55C13-TR BZX55C15 BZX55C15 A0G BZX55C15_T50A BZX55C15_T50R BZX55C15-TAP BZX55C15-TR BZX55C16 BZX55C16 A0G BZX55C16_T26A