BZX55B24V

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BZX55B24V 技术参数

BZX55B24-TR 功能描述:Zener Diode 24V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B24-TAP 功能描述:Zener Diode 24V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B24 A0G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55B22-TR 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B22-TAP 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B30 A0G BZX55B30-TAP BZX55B30-TR BZX55B33 A0G BZX55B33-TAP BZX55B33-TR BZX55B36 A0G BZX55B36-TAP BZX55B36-TR BZX55B39 A0G BZX55B39-TAP BZX55B39-TR BZX55B3V0 A0G BZX55B3V0-TAP BZX55B3V0-TR BZX55B3V3 A0G BZX55B3V3-TAP BZX55B3V3-TR