BZX55B82V

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BZX55B82V 技术参数

BZX55B7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B7V5-TAP 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B7V5 A0G 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55B75-TR 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55B75-TAP 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C10_T50A BZX55C10_T50R BZX55C10-TAP BZX55C10-TR BZX55C11 BZX55C11 A0G BZX55C11_T50A BZX55C11_T50R BZX55C11-TAP BZX55C11-TR BZX55C12 BZX55C12 A0G BZX55C12_T26A BZX55C12_T50A BZX55C12_T50R BZX55C12-TAP BZX55C12-TR BZX55C13