BZX55C3V9R0

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BZX55C3V9R0 技术参数

BZX55C3V9_T50R 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C3V9_T50A 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C3V9 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C3V9 功能描述:Zener Diode 3.9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55C3V6-TR 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C47 A0G BZX55C47_T50A BZX55C47_T50R BZX55C47-TAP BZX55C47-TR BZX55C4V3 BZX55C4V3 A0G BZX55C4V3_T50A BZX55C4V3_T50R BZX55C4V3-TAP BZX55C4V3-TR BZX55C4V7 BZX55C4V7 A0G BZX55C4V7_T50A BZX55C4V7_T50R BZX55C4V7-TAP BZX55C4V7-TR BZX55C51