BZX55F24-TAP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BZX55F24-TAP
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
VISHAY/威世
DO-35
22+
-
十年配单，只做原装

BZX55F24-TAP
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
VISHAY
DO-35
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BZX55F27-TAP BZX55F27-TR BZX55F2V4-TAP BZX55F2V4-TR BZX55F2V7-TAP BZX55F30-TR BZX55F33-TAP BZX55F33-TR BZX55F36-TAP

BZX55F24-TAP PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BZX55F24-TAP PDF下载

功能描述
Zener Diode 24V 500mW ±1% Through Hole DO-35
制造商
vishay semiconductor diodes division
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
散装
零件状态
上次购买时间
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
24V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
80 欧姆
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 18V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.5V @ 200mA
工作温度
175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
10,000

BZX55F24-TAP 技术参数

BZX55F22-TR 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F22-TAP 功能描述:Zener Diode 22V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F20-TR 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F20-TAP 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F36-TR BZX55F3V0-TAP BZX55F3V3-TAP BZX55F3V6-TAP BZX55F3V6-TR BZX55F3V9-TAP BZX55F3V9-TR BZX55F4V3-TAP BZX55F4V3-TR BZX55F4V7-TAP BZX55F5V1-TAP BZX55F5V1-TR BZX55F5V6-TAP BZX55F5V6-TR BZX55F6V2-TAP BZX55F6V2-TR BZX55F6V8-TAP BZX55F6V8-TR