BZX584C14

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BZX584C14
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
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深圳市一线半导体有限公司
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BZX584C14 技术参数

BZX584C13-V-G-08 功能描述:Zener Diode 13V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C12-V-G-08 功能描述:Zener Diode 12V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C11-V-G-08 功能描述:Zener Diode 11V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C10-V-G-08 功能描述:Zener Diode 10V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584B9V1 RSG 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 150MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:8,000 BZX584C30-V-G-08 BZX584C33-V-G-08 BZX584C36-V-G-08 BZX584C39-V-G-08 BZX584C3V0-V-G-08 BZX584C3V3-V-G-08 BZX584C3V6-V-G-08 BZX584C3V9-V-G-08 BZX584C43-V-G-08 BZX584C47-V-G-08 BZX584C4V3-V-G-08 BZX584C4V7-V-G-08 BZX584C51-V-G-08 BZX584C5V1-V-G-08 BZX584C5V6-V-G-08 BZX584C6V2-V-G-08 BZX584C6V8-V-G-08 BZX584C7V5-V-G-08