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BZX79-B5V6133

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BZX79-B5V6133 技术参数
  • BZX79-B5V6,143 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B5V6,133 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79B5V6 标准包装:1 BZX79-B5V6,113 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79B5V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79-B5V1,143 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79B5V1 标准包装:1 BZX79-B6V2,113 BZX79-B6V2,133 BZX79-B6V2,143 BZX79B6V8 A0G BZX79-B6V8,113 BZX79-B6V8,133 BZX79-B6V8,143 BZX79B75 A0G BZX79-B75,113 BZX79-B75,133 BZX79-B75,143 BZX79B7V5 A0G BZX79-B7V5,113 BZX79-B7V5,133 BZX79-B7V5,143 BZX79B8V2 A0G BZX79-B8V2,113 BZX79-B8V2,133
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