BZX79-B8V2143

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BZX79-B8V2143 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BZX79-B8V2143 技术参数

BZX79-B8V2,143 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B8V2,133 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-B8V2,113 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79B8V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 700mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79-B7V5,143 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79C10_T50A BZX79C10_T50R BZX79C10-T50A BZX79C11 BZX79C11 A0G BZX79-C11,113 BZX79-C11,133 BZX79-C11,143 BZX79C11_T50A BZX79C11_T50R BZX79C11-T50A BZX79C12 BZX79C12 A0G BZX79-C12,113 BZX79-C12,133 BZX79-C12,143 BZX79C12_T50A BZX79C12_T50R