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BZX79C27_T50R

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功能描述
稳压二极管 27V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX79C27_T50R 技术参数

BZX79C27_T50A 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C27,143 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-C27,133 功能描述:Zener Diode 27V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-C27,113 功能描述:DIODE ZENER 27V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79C27 A0G 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C2V4_T50R BZX79C2V4-T50A BZX79C2V7 BZX79C2V7 A0G BZX79-C2V7,113 BZX79-C2V7,133 BZX79-C2V7,143 BZX79C2V7_T50A BZX79C2V7_T50R BZX79C2V7-T50A BZX79C30 BZX79C30 A0G BZX79-C30,113 BZX79-C30,133 BZX79-C30,143 BZX79C30_T50A BZX79C30_T50R BZX79C30-T50A