BZX84-C11/23-11V/Y1P

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BZX84-C11/23-11V/Y1P 技术参数

BZX84-C11,235 功能描述:Zener Diode 11V 250mW ±5% Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BZX84-C11,215 功能描述:DIODE ZENER 11V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BZX84C11 标准包装:1 BZX84C11 TR 功能描述:Zener Diode 11V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C11 RFG 功能描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BZX84C11 功能描述:Zener Diode 11V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C11-G3-08 BZX84C11-G3-18 BZX84C11-HE3-08 BZX84C11-HE3-18 BZX84C11LT1 BZX84C11LT1G BZX84C11S-7 BZX84C11S-7-F BZX84C11T-7-F BZX84C11-TP BZX84C11TS-7-F BZX84C11VLFHT116 BZX84C11W-7 BZX84C11W-7-F BZX84C11W-TP BZX84C12 BZX84C12 RFG BZX84C12 TR