BZX84-C27NXP

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BZX84-C27NXP 技术参数

BZX84C27LT3G 功能描述:Zener Diode 27V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C27LT3 功能描述:Zener Diode 27V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C27LT1G 功能描述:Zener Diode 27V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C27LT1 功能描述:Zener Diode 27V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BZX84C27-HE3-18 功能描述:Zener Diode 27V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84C2V4 TR BZX84-C2V4,215 BZX84-C2V4,235 BZX84-C2V4/LF1R BZX84C2V4-7 BZX84C2V4-7-F BZX84C2V4-E3-08 BZX84C2V4-E3-18 BZX84C2V4-G3-08 BZX84C2V4-G3-18 BZX84C2V4-HE3-08 BZX84C2V4-HE3-18 BZX84C2V4LFHT116 BZX84C2V4LT1 BZX84C2V4LT1G BZX84C2V4LT3G BZX84C2V4S-7 BZX84C2V4S-7-F