BZX84-C39.215

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BZX84-C39.215 技术参数

BZX84-C39,235 功能描述:Zener Diode 39V 250mW ±5% Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BZX84-C39,215 功能描述:DIODE ZENER 39V 250MW SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BZX84C39 标准包装:1 BZX84C39 RFG 功能描述:DIODE ZENER 39V 300MW SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BZX84C36W-7-F 功能描述:Zener Diode 36V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C36W-7 功能描述:Zener Diode 36V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C39-HE3-08 BZX84C39-HE3-18 BZX84C39LT1G BZX84C39LT3 BZX84C39LT3G BZX84C39S-7 BZX84C39S-7-F BZX84C39T-7-F BZX84C39TA BZX84C39-TP BZX84C39TS-7-F BZX84C39W-7 BZX84C39W-7-F BZX84C3V0 RFG BZX84C3V0 TR BZX84-C3V0,215 BZX84-C3V0,235 BZX84-C3V0/LF1R