BZX84-C3V0T/R

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BZX84-C3V0T/R 技术参数

BZX84C3V0S-7-F 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C3V0S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 3V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C3V0LT1G 功能描述:Zener Diode 3V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C3V0LT1 功能描述:Zener Diode 3V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BZX84C3V0LFHT116 功能描述:ZENER DIODE (AEC-Q101 QUALIFIED) 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BZX84-C3V3,235 BZX84-C3V3/DG/B3,2 BZX84-C3V3/DG/B3:2 BZX84-C3V3/LF1R BZX84-C3V3/LF1VL BZX84C3V3-7 BZX84C3V3-7-F BZX84C3V3-E3-08 BZX84C3V3-E3-18 BZX84C3V3ET1 BZX84C3V3ET1G BZX84C3V3ET3 BZX84C3V3ET3G BZX84C3V3-G3-08 BZX84C3V3-G3-18 BZX84C3V3-HE3-08 BZX84C3V3-HE3-18 BZX84C3V3LFHT116