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BZX84-C75V

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

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BZX84-C75V 技术参数
  • BZX84C75LT3G 功能描述:Zener Diode 75V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10,000 BZX84C75LT3 功能描述:Zener Diode 75V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10,000 BZX84C75LT1G 功能描述:Zener Diode 75V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BZX84C75LT1 功能描述:Zener Diode 75V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10 BZX84C75-HE3-18 功能描述:Zener Diode 75V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84C7V5-7 BZX84C7V5-7-F BZX84C7V5-E3-08 BZX84C7V5-E3-18 BZX84C7V5ET1 BZX84C7V5-G3-08 BZX84C7V5-G3-18 BZX84C7V5-HE3-08 BZX84C7V5-HE3-18 BZX84C7V5LFHT116 BZX84C7V5LT1 BZX84C7V5LT1G BZX84C7V5LT3 BZX84C7V5S-7 BZX84C7V5S-7-F BZX84C7V5T-7-F BZX84C7V5-TP BZX84C7V5TS-7-F
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