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BZX84B5V6VGS08

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BZX84B5V6VGS08 技术参数

BZX84B5V6-TP 功能描述:Zener Diode 5.6V 350mW ±2% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84B5V6LT3 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84B5V6LT1G 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84B5V6LT1 功能描述:Zener Diode 5.6V 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BZX84B5V6-HE3-18 功能描述:Zener Diode 5.6V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84B68-E3-18 BZX84B68-G3-08 BZX84B68-G3-18 BZX84B68-HE3-08 BZX84B68-HE3-18 BZX84-B6V2,215 BZX84-B6V2/DG/B3,2 BZX84-B6V2/LF1R BZX84B6V2-7-F BZX84B6V2-E3-08 BZX84B6V2-E3-18 BZX84B6V2-G3-08 BZX84B6V2-G3-18 BZX84B6V2-HE3-08 BZX84B6V2-HE3-18 BZX84B6V2LT1 BZX84B6V2LT1G BZX84B6V2-TP