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BZX84C-10V

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BZX84C-10V 技术参数

BZX84C10TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 10V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84C10-TP 功能描述:Zener Diode 10V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C10T-7-F 功能描述:Zener Diode 10V 150mW ±6% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BZX84C10S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 10V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C10S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 10V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84-C11/DG/B3,23 BZX84-C11/LF1R BZX84-C11/LF1VL BZX84C11_D87Z BZX84C11-7 BZX84C11-7-F BZX84C11-E3-08 BZX84C11-E3-18 BZX84C11-G3-08 BZX84C11-G3-18 BZX84C11-HE3-08 BZX84C11-HE3-18 BZX84C11LT1 BZX84C11LT1G BZX84C11S-7 BZX84C11S-7-F BZX84C11T-7-F BZX84C11-TP