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BZX84C12TR

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BZX84C12TR 技术参数

BZX84C12-TP 功能描述:Zener Diode 12V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C12T-7-F 功能描述:Zener Diode 12V 150mW ±5% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BZX84C12S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 12V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C12S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 12V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C12LT3G 功能描述:Zener Diode 12V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84-C13/LF1R BZX84-C13/LF1VL BZX84C13_D87Z BZX84C13-7 BZX84C13-7-F BZX84C13-E3-08 BZX84C13-E3-18 BZX84C13-G3-08 BZX84C13-G3-18 BZX84C13-HE3-08 BZX84C13-HE3-18 BZX84C13LT1 BZX84C13LT1G BZX84C13LT3 BZX84C13Q-7-F BZX84C13S-7 BZX84C13S-7-F BZX84C13T-7-F