BZX84C30TS-7-F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BZX84C30TS-7-F
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
Diodes
SOT-363
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BZX84C30TS-7-F
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Diodes Inc
DIODE ZENER TRIPLE 3
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

BZX84C30TS-7-F
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
30000
DIODES
原厂封装
2023+
-
进口原装假一赔十

1/1页 40条/页共8条
1

您是不是要找： BZX84C30VLFHT116 BZX84C30W-7 BZX84C30W-7-F BZX84C33 BZX84C33 RFG BZX84-C33,215 BZX84-C33,235 BZX84-C33/DG/B2,21 BZX84-C33/DG/B2,23

BZX84C30TS-7-F PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BZX84C30TS-7-F PDF下载

功能描述
稳压二极管 200MW 30V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX84C30TS-7-F 技术参数

BZX84C30-TP 功能描述:Zener Diode 30V 350mW ±7% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C30T-7-F 功能描述:Zener Diode 30V 150mW ±7% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 BZX84C30S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 30V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C30S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 30V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C30LT1G 功能描述:Zener Diode 30V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84-C33/LF1R BZX84-C33/LF1VL BZX84C33_D87Z BZX84C33-7 BZX84C33-7-F BZX84C33-E3-08 BZX84C33-E3-18 BZX84C33-G3-08 BZX84C33-G3-18 BZX84C33-HE3-08 BZX84C33-HE3-18 BZX84C33LT1 BZX84C33LT1G BZX84C33LT3 BZX84C33LT3G BZX84C33S-7 BZX84C33S-7-F BZX84C33T-7-F