BZX84C4V3(Z17)

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BZX84C4V3(Z17) 技术参数

BZX84C4V3 TR 功能描述:Zener Diode 4.3V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C4V3 RFG 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 300MW SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BZX84C4V3 功能描述:Zener Diode 4.3V 350mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C47-TP 功能描述:0.35W,47V,ZENER,SOT-23 PKG 制造商:micro commercial co 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 32.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C47TA 功能描述:Zener Diode 47V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84C4V3-G3-18 BZX84C4V3-HE3-08 BZX84C4V3-HE3-18 BZX84C4V3LFHT116 BZX84C4V3LT1 BZX84C4V3LT1G BZX84C4V3LT3G BZX84C4V3S-7 BZX84C4V3S-7-F BZX84C4V3T-7-F BZX84C4V3-TP BZX84C4V3TS-7-F BZX84C4V3W-7 BZX84C4V3W-7-F BZX84C4V7 BZX84C4V7 RFG BZX84C4V7 TR BZX84-C4V7,215