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BZX84C5V1Q-13-F

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BZX84C5V1Q-13-F 技术参数

BZX84C5V1LT3G 功能描述:Zener Diode 5.1V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C5V1LT3 功能描述:Zener Diode 5.1V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C5V1LT1G 功能描述:Zener Diode 5.1V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C5V1LT1 功能描述:Zener Diode 5.1V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BZX84C5V1LFHT116 功能描述:ZENER DIODE (AEC-Q101 QUALIFIED 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BZX84C5V6 TR BZX84-C5V6,215 BZX84-C5V6,235 BZX84-C5V6/CH/LFVL BZX84-C5V6/DG/B3,2 BZX84-C5V6/DG/B3:2 BZX84-C5V6/LF1R BZX84-C5V6/LF1VL BZX84C5V6_D87Z BZX84C5V6_S00Z BZX84C5V6-7 BZX84C5V6-7-F BZX84C5V6-E3-08 BZX84C5V6-E3-18 BZX84C5V6ET1 BZX84C5V6ET1G BZX84C5V6ET3 BZX84C5V6ET3G