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BZX84C6V87

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BZX84C6V87 技术参数

BZX84C6V8_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 350MW 6.8V 5% SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BZX84C6V8_D87Z 功能描述:Zener Diode 6.8V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84-C6V8/LF1VL 功能描述:DIODE ZENER TO-236AB SOT23 制造商:nxp usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:3,000 BZX84-C6V8/LF1R 功能描述:DIODE ZENER TO-236AB SOT23 制造商:nxp usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:3,000 BZX84-C6V8/DG/B3,2 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:3,000 BZX84C6V8LFHT116 BZX84C6V8LT1 BZX84C6V8LT1G BZX84C6V8LT3 BZX84C6V8LT3G BZX84C6V8S-7 BZX84C6V8S-7-F BZX84C6V8T-7-F BZX84C6V8-TP BZX84C6V8TS-7-F BZX84C6V8W-7 BZX84C6V8W-7-F BZX84-C75,215 BZX84-C75,235 BZX84-C75/LF1R BZX84-C75/LF1VL BZX84C75-E3-08 BZX84C75-E3-18