BZX84C75,215

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BZX84C75,215 技术参数

BZX84C6V8W-7-F 功能描述:Zener Diode 6.8V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C6V8W-7 功能描述:Zener Diode 6.8V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C6V8TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 6.8V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84C6V8-TP 功能描述:Zener Diode 6.8V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C6V8T-7-F 功能描述:Zener Diode 6.8V 150mW ±5.88% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 BZX84C75-HE3-18 BZX84C75LT1 BZX84C75LT1G BZX84C75LT3 BZX84C75LT3G BZX84C7V5 BZX84C7V5 RFG BZX84C7V5 TR BZX84-C7V5,215 BZX84-C7V5,235 BZX84-C7V5/DG/B3,2 BZX84-C7V5/LF1R BZX84-C7V5/LF1VL BZX84C7V5_D87Z BZX84C7V5-7 BZX84C7V5-7-F BZX84C7V5-E3-08 BZX84C7V5-E3-18