BZX84C7V5T-7NBSP;

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BZX84C7V5T-7NBSP; PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BZX84C7V5T-7NBSP; 技术参数

BZX84C7V5T-7-F 功能描述:Zener Diode 7.5V 150mW ±6% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±6% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 BZX84C7V5S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 7.5V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C7V5S-7 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84C7V5LT3 功能描述:Zener Diode 7.5V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 BZX84C7V5LT1G 功能描述:Zener Diode 7.5V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84-C8V2/DG/B3,2 BZX84-C8V2/DG/B3:2 BZX84-C8V2/LF1R BZX84-C8V2/LF1VL BZX84C8V2_D87Z BZX84C8V2-7 BZX84C8V2-7-F BZX84C8V2-E3-08 BZX84C8V2-E3-18 BZX84C8V2ET3 BZX84C8V2-G3-08 BZX84C8V2-G3-18 BZX84C8V2-HE3-08 BZX84C8V2-HE3-18 BZX84C8V2LT1 BZX84C8V2LT1G BZX84C8V2LT3 BZX84C8V2LT3G